| 型号：NTLJD3115PT1G | 类别：FET - 阵列 | 制造商：ON Semiconductor |
| 封装：6-WDFN 裸露焊盘 | 描述：MOSFET P-CHAN DUAL 20V 6-WDFN | |
详细参数
| 类别 | FET - 阵列 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET P-CHAN DUAL 20V 6-WDFN |
| 系列 | - |
| 制造商 | ON Semiconductor |
| FET型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 2.3A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 100 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 1V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 531pF @ 10V |
| 功率_最大 | 710mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装 | 6-WDFN（2x2） |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
| 深圳市恒意法电子有限公司 | 朱小姐 刘小姐18026926850/0755-83247709/0755-83247721 |
| 深圳市中新永盛科技有限公司 | 朱先生0755-83211840 |
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